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立(lì)昂微:矽抛光片由矽(xī)研磨片經過後(hòu)續抛光、清洗等精密加工(gōng)而成(chéng)

所屬分類:時事(shì)聚焦    發(fā)布時間: 2022-06-19    作者:
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同花順(300033)金融研究中心6月17日訊,有投資者向立昂微(605358)提(tí)問, 請(qǐng)問貴公(gōng)司的輕摻、重摻工藝,是(shì)針對抛光片的,還是針(zhēn)對外延片的生産工藝。謝謝!

  公司回答表示,尊(zūn)敬(jìng)的投資者:您好,感謝您對(duì)本公司的(de)關注。矽抛光片由矽研磨片經(jīng)過後(hòu)續抛光、清洗等精(jīng)密加工而成;矽外延片是指在矽單(dān)晶襯底上外延生長一層或多層矽(xī)單晶(jīng)薄膜的材料。矽抛光片(piàn)按照摻雜程度不同分為輕摻(chān)矽抛光片和重摻矽抛光片,摻(chān)雜元素的摻入(rù)量越大,矽抛光片的電阻率越低。輕摻矽抛光片廣泛應用于大規模集成電(diàn)路(lù)的制造,也有部分用作矽外延片的襯底材料。重摻矽抛光片一般用(yòng)作矽外延片的(de)襯底材料。根據襯底片的摻(chān)雜濃度不同,分為輕摻雜襯(chèn)底外延片和(hé)重摻雜襯底外延片,前者通(tōng)過生長高質量的外延層,可以(yǐ)提高CMOS栅氧化層完整性、改善溝道漏電、提高集成電(diàn)路可靠性,後者結合了重摻雜襯底片和外延層的特點,在保證器件反向擊穿電(diàn)壓的同時又能有效降低器件的正向功耗。謝謝。

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